Caractéristiques électriques du transistor 2SB1429-O
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -180 V
Tension collecteur-base maximum: -180 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -15 A
Dissipation de puissance maximum: 150 W
Gain de courant (hfe): 80 à 160
Fréquence de transition minimum: 10 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SB1429-O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1429-O peut avoir un gain en courant continu de 80 à 160. Le gain en courant continu du 2SB1429 est compris entre 55 à 160, celui du 2SB1429-R entre 55 à 110.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1429-O peut n'être marqué que B1429-O.
Complémentaire du transistor 2SB1429-O
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1429-O est le 2SD2155-O.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1429-O
