Transistor bipolaire 2SB1142-R

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -2.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1142-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1142 est compris entre 100 à 400, celui du 2SB1142-S entre 140 à 280, celui du 2SB1142-T entre 200 à 400.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1142-R peut n'être marqué que B1142-R.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1142-R est le 2SD1682-R.Le 2SB1123 (SOT-89) et 2SB1123-R (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB1142-R.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1142-R par 2SB1143, 2SB1143-R, 2SB1165, 2SB1165-R, 2SB1166, 2SB1166-R, 2SB1167, 2SB1167-R, 2SB1168, 2SB1168-R, 2SB744A, 2SB744A-O, 2SB986, 2SB986-R, BD178, BD180, BD180G, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSB744A, KSB744A-O, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250, MJE252 ou MJE254.