Transistor bipolaire 2SB1143-R

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1143-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1143 est compris entre 100 à 560, celui du 2SB1143-S entre 140 à 280, celui du 2SB1143-T entre 200 à 400, celui du 2SB1143-U entre 280 à 560.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1143-R peut n'être marqué que B1143-R.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1143-R est le 2SD1683-R.Le 2SB1123 (SOT-89), 2SB1123-R (SOT-89), 2SB1124 (SOT-89), 2SB1124-R (SOT-89) et BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1143-R.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1143-R par 2SB1165, 2SB1165-R, 2SB1166, 2SB1166-R, 2SB1168, 2SB1168-R, 2SB986, 2SB986-R, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, MJE233, MJE235, MJE250, MJE252 ou MJE254.