Transistor bipolaire 2SB1141-Q

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -18 V
• Tension collecteur-base maximum: -20 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.2 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 70 à 140
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1141-Q peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SB1141 est compris entre 70 à 400, celui du 2SB1141-R entre 100 à 200, celui du 2SB1141-S entre 140 à 280, celui du 2SB1141-T entre 200 à 400.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1141-Q peut n'être marqué que B1141-Q.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1141-Q est le 2SD1681-Q.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1141-Q par 2SA715, 2SA738, 2SB559, 2SB743, 2SB772, BD186, KSB772, KSE210, KSH772, KTA1705, KTA1705-O, MJE210, MJE210G ou MJE370.