Transistor bipolaire 2SB1009-R

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -32 V
• Tension collecteur-base maximum: -40 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 180 à 390
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1009-R peut avoir un gain en courant continu de 180 à 390. Le gain en courant continu du 2SB1009 est compris entre 82 à 390, celui du 2SB1009-P entre 82 à 180, celui du 2SB1009-Q entre 120 à 270.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1009-R peut n'être marqué que B1009-R.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1009-R est le 2SD1380-R.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1009-R par 2SB1142, 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB986, BD132, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, MJE232, MJE235, MJE371 ou MJE371G.