Transistor bipolaire 2SD1380-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1380-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 32 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 180 à 390
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SD1380-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1380-R peut avoir un gain en courant continu de 180 à 390. Le gain en courant continu du 2SD1380 est compris entre 82 à 390, celui du 2SD1380-P entre 82 à 180, celui du 2SD1380-Q entre 120 à 270.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1380-R peut n'être marqué que D1380-R.

Complémentaire du transistor 2SD1380-R

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1380-R est le 2SB1009-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1380-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1380-R par 2SC2270, 2SC3420, 2SD1348, 2SD1682, 2SD1683, 2SD1722, 2SD1723, BD131, BD187, BD189, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BDX35, BDX36, MJE222, MJE225, MJE521 ou MJE521G.
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