Transistor bipolaire 2SA1029D

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1029D

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.3 W
  • Gain de courant (hfe): 250 à 500
  • Fréquence de transition minimum: 230 MHz
  • Figure de bruit maximum: 4 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SA1029D

Le 2SA1029D est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite,
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1029D peut avoir un gain en courant continu de 250 à 500. Le gain en courant continu du 2SA1029 est compris entre 100 à 500, celui du 2SA1029B entre 100 à 200, celui du 2SA1029C entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1029D peut n'être marqué que A1029D.

Version SMD du transistor 2SA1029D

Le BC858 (SOT-23), BC858B (SOT-23), BC858BW (SOT-323), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23), BC859B (SOT-23), BC859BW (SOT-323), BC859W (SOT-323) et BCW61C (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SA1029D.
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