Transistor bipolaire 2N6052

Caractéristiques électriques du transistor 2N6052

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 750 à 18000
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N6052

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6052

Le transistor NPN complémentaire du 2N6052 est le 2N6059.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6052

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6052 par 2N6052G, 2N6287, 2N6287G, 2SA907, 2SA908, 2SA909, 2SB722 ou BD318.

Version sans plomb

Le transistor 2N6052G est la version sans plomb du 2N6052.
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