Transistor bipolaire 2N6052
Caractéristiques électriques du transistor 2N6052
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
- Tension collecteur-base maximum: -100 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -12 A
- Dissipation de puissance maximum: 150 W
- Gain de courant (hfe): 750 à 18000
- Fréquence de transition minimum: 4 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du 2N6052
Complémentaire du transistor 2N6052
Substituts et équivalents pour le transistor 2N6052
Version sans plomb
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