Transistor bipolaire 2N6059

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 12 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 750 à 18000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N6059 est le 2N6052.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6059 par 2N6284, 2N6284G, 2SC1584, 2SC1585, 2SC1586 ou BD317.