Transistor bipolaire 2N5401S

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.6 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 240
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Figure de bruit maximum: 8 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-23

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2N5401S est marqué "ZE".Le transistor NPN complémentaire du 2N5401S est le 2N5551S.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5401S par MMBT5401.