Transistor bipolaire 2N5551C

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
• Tension collecteur-base maximum: 180 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 80 à 250
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Figure de bruit maximum: 8 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le 2N5551C est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Le suffixe "C" signifie collecteur central dans le 2N5551.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N5551C est le 2N5401C.Le 2N5551S (SOT-23), DXT5551 (SOT-89), DZT5551 (SOT-223), KST43 (SOT-23), KST5551 (SOT-23), MMBT5551 (SOT-23) et PMBT5551 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N5551C.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5551C par 2SC2383, 2SC3228, KSC2383 ou KTC3228.