Transistor bipolaire 2N5191G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 100
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Le 2N5191G est la version sans plomb du transistor 2N5191

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N5191G est le 2N5194G.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5191G par 2N5191, MJE225, MJE242 ou MJE244.