Transistor bipolaire 2N5191

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 100
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N5191 est le 2N5194.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5191 par 2N5191G, MJE225, MJE242 ou MJE244.Le transistor 2N5191G est la version sans plomb du 2N5191.