Transistor bipolaire 2N5194G

Caractéristiques électriques du transistor 2N5194G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 25 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Le 2N5194G est la version sans plomb du transistor 2N5194

Brochage du 2N5194G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5194G

Le transistor NPN complémentaire du 2N5194G est le 2N5191G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5194G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5194G par 2N5194, MJE235, MJE252 ou MJE254.
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