Transistor bipolaire 2N5086
Caractéristiques électriques du transistor 2N5086
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
- Tension collecteur-base maximum: -50 V
- Tension émetteur-base maximum: -3 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 150 à 500
- Fréquence de transition minimum: 40 MHz
- Figure de bruit maximum: 3 dB
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du 2N5086
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Version SMD du transistor 2N5086
Substituts et équivalents pour le transistor 2N5086
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