Transistor bipolaire MMBT5086
Caractéristiques électriques du transistor MMBT5086
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
- Tension collecteur-base maximum: -50 V
- Tension émetteur-base maximum: -3 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
- Gain de courant (hfe): 150 à 500
- Fréquence de transition minimum: 40 MHz
- Figure de bruit maximum: 3 dB
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
Brochage du MMBT5086
Substituts et équivalents pour le transistor MMBT5086
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