Transistor bipolaire 2N3767

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 25 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 160
• Fréquence de transition minimum: 10 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-66

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le BDP951 (SOT-223) et BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2N3767.Vous pouvez remplacer le transistor 2N3767 par 2SC1113.