Transistor bipolar MJD122-1G

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
• Disipación de Potencia Máxima: 20 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000 a 12000
• Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-251
• Electrically Similar to the Popular TIP122 transistor
• El MJD122-1G es la versión sin plomo del transistor MJD122-1

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor MJD122-1G está marcado como "J122G".El transistor PNP complementario del MJD122-1G es el MJD127-1G.Puede sustituir el MJD122-1G por el MJD122-1.