Transistor bipolar MJD117-1G

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
• Disipación de Potencia Máxima: 20 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000 a 12000
• Frecuencia máxima de trabajo: 25 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-251
• Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor
• El MJD117-1G es la versión sin plomo del transistor MJD117-1

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor MJD117-1G está marcado como "J117G".El transistor NPN complementario del MJD117-1G es el MJD112-1G.Puede sustituir el MJD117-1G por el MJD117-1, MJD127-1 o MJD127-1G.