Transistor bipolar KTB1151

Características del transistor KTB1151

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 400
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1151 transistor

Diagrama de pines del KTB1151

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTB1151 puede tener una ganancia de corriente de 160 a 400. La ganancia del KTB1151-O estará en el rango de 160 a 320, para el KTB1151-Y estará en el rango de 200 a 400.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KTB1151 es el KTD1691.

Versión SMD del transistor KTB1151

El 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) y BDP950 (SOT-223) es la versión SMD del transistor KTB1151.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTB1151

Puede sustituir el KTB1151 por el 2SB1151 o KSB1151.
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