Transistor bipolar KSB1151-O

Características del transistor KSB1151-O

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1151-M transistor

Diagrama de pines del KSB1151-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB1151-O puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del KSB1151 estará en el rango de 100 a 400, para el KSB1151-G estará en el rango de 200 a 400, para el KSB1151-Y estará en el rango de 160 a 320.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KSB1151-O es el KSD1691-O.

Versión SMD del transistor KSB1151-O

El BDP950 (SOT-223) es la versión SMD del transistor KSB1151-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB1151-O

Puede sustituir el KSB1151-O por el 2SB1151 o 2SB1151-M.
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