Transistor bipolar 2SB503A-R

Características del transistor 2SB503A-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -10 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 70
  • Frecuencia máxima de trabajo: 5 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-66

Diagrama de pines del 2SB503A-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB503A-R puede tener una ganancia de corriente de 30 a 70. La ganancia del 2SB503A estará en el rango de 30 a 280, para el 2SB503A-O estará en el rango de 50 a 140, para el 2SB503A-Y estará en el rango de 100 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB503A-R puede estar marcado sólo como "B503A-R".

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB503A-R

Puede sustituir el 2SB503A-R por el 2N3740, 2N3741, 2N6313, 2N6314, 2N6372, 2N6373, 2N6467, 2SB502A o 2SB502A-R.
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