Transistor bipolar 2SA1011D

Características del transistor 2SA1011D

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SA1011D

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA1011D puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SA1011 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SA1011E estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA1011D puede estar marcado sólo como "A1011D".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA1011D es el 2SC2344D.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA1011D

Puede sustituir el 2SA1011D por el 2SA1006, 2SA1006-R, 2SA1006A, 2SA1006A-R, 2SA1006B, 2SA1006B-R, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1964, 2SA1964-D, 2SB1186A, 2SB1186A-D, 2SB630, 2SB630-R, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 o MJE5850G.
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