Bipolartransistor STD01N-O

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 5000 bis 12000
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P-5WO4

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor STD01N-O kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 12000 haben. Die Gleichstromverstärkung des STD01N liegt im Bereich von 5000 bis 20000, die des STD01N-Y im Bereich von 8000 bis 20000.Der komplementäre PNP-Transistor zum STD01N-O ist der STD01P-O.Sie können den Transistor STD01N-O durch einen STD02N, STD02N-O, STD03N oder STD03N-O ersetzen.