Bipolartransistor MPS6513

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS6513

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des MPS6513

Der MPS6513 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS6513 ist der MPS6517.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPS6513

Sie können den Transistor MPS6513 durch einen 2N4123, 2SC1008, 2SC1210, 2SC1210-D, 2SC1211, 2SC1211-D, 2SC815, 2SD471A, BC537, HS945, KSC1008, KSC815, KSC945, KSP05, KTC815, KTC815-O, KTC815-Y, KTC9013, KTC9014, MPS3416, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6531, MPS6532, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, MPSW05, MPSW05G, S9014 oder SS9014 ersetzen.
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