Bipolartransistor 2N4123

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
• Rauschzahl, max: 6 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular MPS4123 transistor

Der 2N4123 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MPS4123 ist die TO-92-Version des 2N4123.Sie können den Transistor 2N4123 durch einen 2SC1008, 2SC815, BC537, KSC1008, KSC815, KSP05, MPS6532, MPS6602 oder MPS6602G ersetzen.