Bipolartransistor MJE1100

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE1100

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 70 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-127

Pinbelegung des MJE1100

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE1100 ist der MJE1090.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE1100

Sie können den Transistor MJE1100 durch einen MJE1101, MJE1102 oder MJE1103 ersetzen.
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