Bipolartransistor MJE1090

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE1090

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 70 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-127

Pinbelegung des MJE1090

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE1090 ist der MJE1100.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE1090

Sie können den Transistor MJE1090 durch einen MJE1091, MJE1092 oder MJE1093 ersetzen.
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