Bipolartransistor MJE1102
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE1102
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
- Verlustleistung, max: 70 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-127
Pinbelegung des MJE1102
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE1102
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