Bipolartransistor MJE1093

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE1093

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
Verlustleistung, max: 70 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-127

Pinbelegung des MJE1093

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE1093 ist der MJE1103.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE1093

Sie können den Transistor MJE1093 durch einen MJE1092 ersetzen.

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