Bipolartransistor MJD350T4G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -3 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 240
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE350 transistor
• Der MJD350T4G ist die bleifreie Version des MJD350T4-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD350T4G-Transistor ist als "J350G" gekennzeichnet.Sie können den Transistor MJD350T4G durch einen MJD350, MJD350G oder MJD350T4 ersetzen.