Bipolartransistor MJD350T4

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD350T4

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -3 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 240
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular MJE350 transistor

Pinbelegung des MJD350T4

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MJD350T4-Transistor ist als "J350" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD350T4

Sie können den Transistor MJD350T4 durch einen MJD350, MJD350G oder MJD350T4G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJD350T4G-Transistor ist die bleifreie Version des MJD350T4.
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