Bipolartransistor MJD2955G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor
• Der MJD2955G ist die bleifreie Version des MJD2955-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD2955G-Transistor ist als "J2955G" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJD2955G ist der MJD3055G.Sie können den Transistor MJD2955G durch einen MJD2955, MJD2955T4 oder MJD2955T4G ersetzen.