Bipolartransistor MJD2955T4G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD2955T4G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor
  • Der MJD2955T4G ist die bleifreie Version des MJD2955T4-Transistors

Pinbelegung des MJD2955T4G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MJD2955T4G-Transistor ist als "J2955G" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD2955T4G

Sie können den Transistor MJD2955T4G durch einen MJD2955, MJD2955G oder MJD2955T4 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com