Bipolartransistor MJD3055G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor
• Der MJD3055G ist die bleifreie Version des MJD3055-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD3055G-Transistor ist als "J3055G" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJD3055G ist der MJD2955G.Sie können den Transistor MJD3055G durch einen MJD3055, MJD3055T4 oder MJD3055T4G ersetzen.