Bipolartransistor MJD210G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 45 bis 180
• Übergangsfrequenz, min: 65 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE210 transistor
• Der MJD210G ist die bleifreie Version des MJD210-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJD210G ist der MJD200G.Sie können den Transistor MJD210G durch einen MJD210 ersetzen.