Bipolartransistor MJD210
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD210
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
- Verlustleistung, max: 12.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 45 bis 180
- Übergangsfrequenz, min: 65 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-252
- Electrically Similar to the Popular MJE210 transistor
Pinbelegung des MJD210
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD210
Bleifreie Version
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