Bipolartransistor MJD200G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 45 bis 180
• Übergangsfrequenz, min: 65 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE200 transistor
• Der MJD200G ist die bleifreie Version des MJD200-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJD200G ist der MJD210G.Sie können den Transistor MJD200G durch einen MJD200 ersetzen.