Bipolartransistor MJD117-1

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000 bis 12000
• Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-251
• Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD117-1-Transistor ist als "J117" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJD117-1 ist der MJD112-1.Sie können den Transistor MJD117-1 durch einen MJD117-1G, MJD127-1 oder MJD127-1G ersetzen.Der MJD117-1G-Transistor ist die bleifreie Version des MJD117-1.