Bipolartransistor MJD112

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000 bis 12000
• Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP112 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD112-Transistor ist als "J112" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJD112 ist der MJD117.Der FMMT624 (SOT-23) und FZT694B (SOT-223) ist die SMD-Version des MJD112-Transistors.Sie können den Transistor MJD112 durch einen MJD112G, MJD112T4, MJD112T4G, MJD122, MJD122G, MJD122T4 oder MJD122T4G ersetzen.Der MJD112G-Transistor ist die bleifreie Version des MJD112.