Bipolartransistor MJ410

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 90
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor MJ410 durch einen 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX80, BUX82, BUY69A, BUY69B, BUY69C, BUY70A, BUY70B, BUY70C, MJ13070, MJ15011, MJ15011G, MJ411 oder MJ423 ersetzen.