Bipolartransistor KTC2025D

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2025D

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des KTC2025D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC2025D kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC2025D-GR liegt im Bereich von 160 bis 320, die des KTC2025D-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC2025D ist der KTA1045D.

SMD-Version des Transistors KTC2025D

Der FMMT624 (SOT-23) und FMMT625 (SOT-23) ist die SMD-Version des KTC2025D-Transistors.
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