Bipolartransistor KTA1045D

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTA1045D

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des KTA1045D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTA1045D kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTA1045D-GR liegt im Bereich von 160 bis 320, die des KTA1045D-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTA1045D ist der KTC2025D.

SMD-Version des Transistors KTA1045D

Der 2SB806 (SOT-89) und 2SD1007 (SOT-89) ist die SMD-Version des KTA1045D-Transistors.
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