Bipolartransistor KTC2025D-GR

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2025D-GR

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des KTC2025D-GR

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC2025D-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC2025D liegt im Bereich von 100 bis 320, die des KTC2025D-Y im Bereich von 100 bis 200.

SMD-Version des Transistors KTC2025D-GR

Der FMMT624 (SOT-23), FMMT625 (SOT-23) und FZT694B (SOT-223) ist die SMD-Version des KTC2025D-GR-Transistors.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com