Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB988GR
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
Übergangsfrequenz, min: 9 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des KTB988GR
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTB988GR kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB988 liegt im Bereich von 60 bis 300, die des KTB988O im Bereich von 60 bis 120, die des KTB988Y im Bereich von 100 bis 200.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB988GR ist der KTD1351GR.
SMD-Version des Transistors KTB988GR
Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTB988GR-Transistors.