Bipolartransistor KSE13003H3

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13003H3

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 19 bis 26
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des KSE13003H3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSE13003H3 kann eine Gleichstromverstärkung von 19 bis 26 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13003 liegt im Bereich von 8 bis 40, die des KSE13003H1 im Bereich von 9 bis 16, die des KSE13003H2 im Bereich von 14 bis 21.

Kennzeichnung

Der KSE13003H3-Transistor ist als "E13003-3" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSE13003H3

Sie können den Transistor KSE13003H3 durch einen KSE5020 oder KSE5020-R ersetzen.
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