Bipolartransistor KSE13003H2

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13003H2

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 14 bis 21
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des KSE13003H2

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSE13003H2 kann eine Gleichstromverstärkung von 14 bis 21 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13003 liegt im Bereich von 8 bis 40, die des KSE13003H1 im Bereich von 9 bis 16, die des KSE13003H3 im Bereich von 19 bis 26.

Kennzeichnung

Der KSE13003H2-Transistor ist als "E13003-2" gekennzeichnet.
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