Bipolartransistor KSE5020-R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 500 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 800 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 30
• Übergangsfrequenz, min: 18 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSE5020-R kann eine Gleichstromverstärkung von 15 bis 30 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE5020 liegt im Bereich von 15 bis 50, die des KSE5020-O im Bereich von 20 bis 40, die des KSE5020-Y im Bereich von 30 bis 50.