Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD261CG
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSD261CG
Der KSD261CG wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSD261G. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSD261CG kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD261C liegt im Bereich von 120 bis 400, die des KSD261CY im Bereich von 120 bis 240.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD261CG ist der KSA643CG.