Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA643CG
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSA643CG
Der KSA643CG wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSA643G. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSA643CG kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA643C liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSA643CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSA643CR im Bereich von 40 bis 80, die des KSA643CY im Bereich von 120 bis 240.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA643CG ist der KSD261CG.
